RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3147
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link