RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
66
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
66
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1699
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link