RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link