RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3145
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link