RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link