RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3457
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link