RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link