RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link