RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3227
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link