RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
19.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3917
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link