RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
31
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
30
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
9.8
Скорость записи, Гб/сек
7.9
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
10600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1762
1304
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link