RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB против HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Средняя оценка
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1836
2713
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB Сравнения RAM
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link