RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1678
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link