RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
4.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
4.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
4.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
4.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1046
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A-H9 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A-H9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link