RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3728
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link