RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB против Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
6.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2046
2739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link