RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link