RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2597
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link