RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
65
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
36
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2473
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link