RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2373
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link