RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
65
Около -97% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2919
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link