RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
14.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link