RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD AP34G1608U1K 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link