RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
65
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3568
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link