RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3293
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link