RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link