RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link