RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
22.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
20.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
22.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
20.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4421
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link