RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3498
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link