RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3472
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link