RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
65
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
54
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
10.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link