RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
65
Около -160% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link