RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2089
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link