RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link