RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3008
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link