RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2237
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link