RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR5
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3347
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link