RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3106
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link