RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3731
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link