Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против AMD R744G2400U1S 4GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

12.5 11.6

Среднее значение в тестах

AMD R744G2400U1S 4GB

Причины выбрать
AMD R744G2400U1S 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 24

Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 16

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

AMD R744G2400U1S 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

24 22
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 16.7
Скорость записи, Гб/сек

12.5 11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2925 2862

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingston 99U5734-014.A00G 16GB

Kingston 99U5734-014.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB

Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM