RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2004
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Lenovo 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link