RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3474
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link