RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
51
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1081
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link