RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1886
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link