RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3415
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link