RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
76
Около 68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
76
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1718
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link