RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link