RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3025
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link