RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    19 left arrow 24
    Около -26% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.4 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.9 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 19
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 14.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3521

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
модули RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
модули RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
модули RAM