RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3726
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link