RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3371
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link