RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
60
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2590
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link